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产品名称晶圆电铸植球模板

访问量:511

应用于4~12寸半导体晶圆级封装WLP植球工艺,涵盖BGA、WLCSP、Flipchip、Bumping、MEMS、MCM(MCP)、WLP、SiP、TSV、Fan-Out芯片常规芯片和5G芯片。

订购热线:0513-81196610

技术参数 

最小植球锡球直径:

60um

最小植球间距:

120um

植球位置偏差:

15um

开孔误差:

±5um

钢片厚度误差:

±5um

材质:

镍合金

硬度:

400~550HV


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评论

  • 管理员刚刚

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